高温介电温谱测量系统通过电极夹具测量平台，可以测量单样品和四样品块体材料；通过可密封的金属屏蔽加热系统，可以实现更多的测量环境（如：惰性气氛、氧化气氛、还原气氛、真空气氛），以满足科研多样化的需求。

通过介电温谱测量系统，可以直接测量样品的介电常数和介电损耗随温度、频率、时间、偏压等变化的曲线，可以测量阻抗和相位角随温度、频率、偏压、时间等变化的曲线，同时还可以测量压电材料的机电耦合系数等。 广泛应用于高校科研院所和企业单位在电介质陶瓷方面的研究。

了解原理和方法，让测试更得心应手

平行板法在ASTM D150标准中又称为三端子法，其原理是通过在两个电极之间插入一个材料或液体薄片组成一个电容器，然后测量其电容，根据测量结果计算介电常数。在实际测量装置中，两个电极配备在夹持介电测量的测试夹具上。介电温谱测量系统将测量电容（C）和损耗（D）的矢量分量，然后由软件程序计算出介电常数和损耗角正切。

评估材料介电性能通常采用平行板电容器原理，上下电极采用两个平行板是理想情况，但实际上在制作样品和测量过程中样品与电极两个平面不可能完全接触，通常只是一个或多个点接触，如果某个接触点导电性能不好就容易导致测量不稳定。为了避免以上现象，电温谱仪上电极采用半球状，下电极采用平面，该电极系统可以精确定位测量被测样品某一点，从而使系统的重复性和稳定性更好。

强大精准的介电测量软件

可以直接测量样品的介电常数和介电损坏随温度、时间、频率变化的曲线，可以测量阻抗谱随温度、时间、频率变化的曲线，同时得出Cole-Cole图和压电材料的机电耦合系数等。
1、介电常数和介电损耗

通过阻抗测量C和D值，软件可以自动计算出介电常数和介电损耗随温度、时间、偏压、频率变化的曲线，还可以直接得出介电常数实部和虚部的比值。

2、阻抗谱及Cole-Cole图

通过阻抗测量Z和φ 值，软件可以自动计算出复阻抗随温度、时间、偏压、频率变化的曲线，还可以直接得出复阻抗Cole-Cole图。

3、机电耦合系数Kp

通过阻抗测量Z和C值，以及不同温度下的谐振频率和反谐振频率，再通过软件自动计算出机电耦合系数随温度、时间、频率变化的曲线，软件可以直接得出机械品质因数Qm。

关于介电常数及阻抗等参数选择的仪器设备：

1、WK6500B系列

七种机型20Hz~5MHz,10MHz,15MHz,20MHz,30MHz,50MHz和120MHz，符合客户不同采购预算

• 简易的TFT触屏操作，10分钟内轻易上手
• 电介质、压电片及石英晶体测试解决方案
• 30 ms超高速测试速度
• 等效Rdc 可高度精准四线式测试，量测到0.01mΩ
• 0.05%基本精确度
• 可内建0-100mA +/- 40V，外加可至60A DC Bias 
• 可将测试波形储存成CSV格式，放大、缩小及MARKER功能
• 20Hz~120MHz，七种机型，可随时升级 ，最高升级到120MHz
• 直觉的用户操作接口，USB、LAN、GPIB及HANDLER 
• 可使用鼠标及键盘操控，也可外接打印机及使用USB接口储存数据
• 具等效电路仿真功能，内建同频率LCR Meter一台

测试参数：容(C), 电感(L), 电阻(R), 电导(G), 电纳(B), 电抗(X), 损耗因数(D), 品质因数(Q), 阻抗(Z), 导纳(Y), 相位角(θ)、介电常数（ε′ ?相对介电常数实部、ε′′r相对介电常数虚部、Dε相对介电损耗）、磁导率（μ ′ ?相对磁导率实部、μ′′r 相对磁导率虚部、Dμ相对磁导率损耗）

2、WK6500P系列
本机种一共有七种机型，分别是20Hz~5MHz, 20Hz~10MHz, 20Hz~15MHz, 20Hz~20MHz, 20Hz~30MHz, 20Hz~50MHz, 20Hz~120MHz, +/-0.05%准确度。
在生产线的高频量测中，此机种为目前全球测试最准确，测试频率最高的机种。

• 0.05%基本精确度，频率分辨率≤1mHz
• 简易的TFT触屏操作，10分钟内轻易上手 
• 电介质、压电片及石英晶体测试解决方案
  ＜30 mS 自动化测量可结合测包机测试
• 高频四线式技术，可测量极低Rs、等效Rdc和高Q值
  内置交流信号：10mV ~ 1Vrms，200μA~20mArms。直流内置偏置信号：0~ 100mA/0~ +40V或-40V~ +40V（选配）。可外加WK6565高频直流偏置电流源到40Amp
• 四种模式统一操作界面，Hander连接自动化分选设备，LAN、GPIB电脑联机软件通信接口
• 可使用鼠标及键盘操作，也可外接列表打印机及使用U盘保存数据，测试图像
• 英国设计，接受软硬件升级及定制化需求

测试参数:电容(C), 电感(L), 电阻(R), 电导(G), 电纳(B), 电抗(X), 损耗因数(D), 品质因数(Q), 阻抗(Z), 导纳(Y), 相位角(θ)、介电常数（ε′ ?相对介电常数实部、ε′′r相对介电常数虚部、Dε相对介电损耗）、磁导率（μ ′ ?相对磁导率实部、μ′′r 相对磁导率虚部、Dμ相对磁导率损耗）